casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / CDBJSC8650-G
Número de pieza del fabricante | CDBJSC8650-G |
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Número de parte futuro | FT-CDBJSC8650-G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CDBJSC8650-G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Silicon Carbide Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 650V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 8A (DC) |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.7V @ 8A |
Velocidad | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 0ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100µA @ 650V |
Capacitancia a Vr, F | 560pF @ 0V, 1MHz |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-220-2 |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220-2 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CDBJSC8650-G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CDBJSC8650-G-FT |
AG01WS
Sanken
AK 04V
Sanken
AK 04V0
Sanken
AK 04V1
Sanken
AK 04WK
Sanken
AK 04WS
Sanken
AK 06V
Sanken
AK 06V0
Sanken
AK 06V1
Sanken
AK 06WK
Sanken
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
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XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel