casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / CDBJSC51200-G
Número de pieza del fabricante | CDBJSC51200-G |
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Número de parte futuro | FT-CDBJSC51200-G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CDBJSC51200-G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Silicon Carbide Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 1200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 5A (DC) |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.7V @ 5A |
Velocidad | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 0ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100µA @ 1200V |
Capacitancia a Vr, F | 475pF @ 0V, 1MHz |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-220-2 |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220-2 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CDBJSC51200-G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CDBJSC51200-G-FT |
AG01WK
Sanken
AG01WS
Sanken
AK 04V
Sanken
AK 04V0
Sanken
AK 04V1
Sanken
AK 04WK
Sanken
AK 04WS
Sanken
AK 06V
Sanken
AK 06V0
Sanken
AK 06V1
Sanken
XCS40XL-5PQG208C
Xilinx Inc.
XC7A15T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE3000-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-1VQ100M
Microsemi Corporation
5SGSMD4K3F40I3N
Intel
5SGSED6N2F45C2N
Intel
EP2SGX90EF1152C3ES
Intel
LFE2M100SE-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB7D4F35C4N
Intel