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CDBJSC10650-G Image

Comchip Technology CDBJSC10650-G

Número de pieza de MFG
CDBJSC10650-G
Cantidad disponible
13880 Piezas
Precio de referencia
USD 3.856
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Fecha de envío
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fabricante
Comchip Technology
Breve descripción
- DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Diodos - Rectificadores - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
CDBJSC10650-G.pdf
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Número de parte futuro FT-CDBJSC10650-G
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
CDBJSC10650-G Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo de diodo Silicon Carbide Schottky
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) 650V
Corriente - Promedio Rectificado (Io) 10A (DC)
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si 1.7V @ 10A
Velocidad No Recovery Time > 500mA (Io)
Tiempo de recuperación inverso (trr) 0ns
Corriente - Fuga inversa @ Vr 100µA @ 650V
Capacitancia a Vr, F 710pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caja TO-220-2 Full Pack
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220F
Temperatura de funcionamiento - Unión -55°C ~ 175°C
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
CDBJSC10650-G Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto CDBJSC10650-G-FT

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