casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Arreglos / CDBGBSC201200-G
Número de pieza del fabricante | CDBGBSC201200-G |
---|---|
Número de parte futuro | FT-CDBGBSC201200-G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CDBGBSC201200-G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Configuración de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de diodo | Silicon Carbide Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 1200V |
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) | 25.9A (DC) |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.8V @ 10A |
Velocidad | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 0ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100µA @ 1200V |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 175°C |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-247-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CDBGBSC201200-G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CDBGBSC201200-G-FT |
PD412011
Powerex Inc.
PD412211
Powerex Inc.
PD412411
Powerex Inc.
PN410611
Powerex Inc.
PN410811
Powerex Inc.
PN411011
Powerex Inc.
PN411211
Powerex Inc.
PN411411
Powerex Inc.
PN411611
Powerex Inc.
PN411811
Powerex Inc.
A54SX16A-2TQ144I
Microsemi Corporation
LFEC3E-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150T-N3FG900C
Xilinx Inc.
AGLN030V2-ZCSG81
Microsemi Corporation
5SGSMD4E3H29C2N
Intel
10M40SCE144A7G
Intel
XC4044XL-2HQ208C
Xilinx Inc.
AX500-FGG676
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-1300E-6MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090S3F45E2LG
Intel