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CDBGBSC201200-G Image

Comchip Technology CDBGBSC201200-G

Número de pieza de MFG
CDBGBSC201200-G
Cantidad disponible
27690 Piezas
Precio de referencia
USD 10.859184
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Fecha de envío
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fabricante
Comchip Technology
Breve descripción
- DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Diodos - Rectificadores - Arreglos
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
CDBGBSC201200-G.pdf
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
CDBGBSC201200-G Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Configuración de diodo 1 Pair Common Cathode
Tipo de diodo Silicon Carbide Schottky
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) 1200V
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) 25.9A (DC)
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si 1.8V @ 10A
Velocidad No Recovery Time > 500mA (Io)
Tiempo de recuperación inverso (trr) 0ns
Corriente - Fuga inversa @ Vr 100µA @ 1200V
Temperatura de funcionamiento - Unión -55°C ~ 175°C
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caja TO-247-3
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
CDBGBSC201200-G Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto CDBGBSC201200-G-FT

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