casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / CDBDSC5650-G
Número de pieza del fabricante | CDBDSC5650-G |
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Número de parte futuro | FT-CDBDSC5650-G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CDBDSC5650-G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Silicon Carbide Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 650V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 21.5A (DC) |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.7V @ 5A |
Velocidad | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 0ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100µA @ 650V |
Capacitancia a Vr, F | 424pF @ 0V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paquete del dispositivo del proveedor | D-PAK (TO-252) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CDBDSC5650-G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CDBDSC5650-G-FT |
RRE04EA4DTR
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