casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / CDBD660-G
Número de pieza del fabricante | CDBD660-G |
---|---|
Número de parte futuro | FT-CDBD660-G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CDBD660-G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 60V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 6A (DC) |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 750mV @ 6A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 500µA @ 60V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paquete del dispositivo del proveedor | D-PAK (TO-252) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -50°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CDBD660-G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CDBD660-G-FT |
RRE04EA4DTR
Rohm Semiconductor
DSS2-60AT2
IXYS
DSS2-60AT2AP
IXYS
RURD4120S9A-F085
ON Semiconductor
RURD660S9A-F085
ON Semiconductor
FFSD10120A
ON Semiconductor
C4D10120E
Cree/Wolfspeed
CSD01060E-TR
Cree/Wolfspeed
C3D04060E
Cree/Wolfspeed
FFD10UP20S
ON Semiconductor
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
Microsemi Corporation
AFS250-FGG256
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152C3N
Intel
10AX057K3F35E2LG
Intel
EP1S40F780I6
Intel
EP1SGX40GF1020C6
Intel