casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / CDBD640-G
Número de pieza del fabricante | CDBD640-G |
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Número de parte futuro | FT-CDBD640-G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CDBD640-G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 40V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 6A (DC) |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 550mV @ 6A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 500µA @ 40V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paquete del dispositivo del proveedor | D-PAK (TO-252) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -50°C ~ 125°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CDBD640-G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CDBD640-G-FT |
RRE04EA4DTR
Rohm Semiconductor
DSS2-60AT2
IXYS
DSS2-60AT2AP
IXYS
RURD4120S9A-F085
ON Semiconductor
RURD660S9A-F085
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FFSD10120A
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C4D10120E
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FFD10UP20S
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A54SX16A-1TQ144I
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XC7A75T-3FGG484E
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M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
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EP2C8F256C8N
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5SGXEBBR1H43C2L
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XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
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EP4SGX110HF35I3
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