casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Arreglos / CDBD2080-G
Número de pieza del fabricante | CDBD2080-G |
---|---|
Número de parte futuro | FT-CDBD2080-G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CDBD2080-G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Configuración de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 80V |
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) | 20A (DC) |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 850mV @ 10A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 500µA @ 80V |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | D2PAK |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CDBD2080-G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CDBD2080-G-FT |
1SS184S,LF(D
Toshiba Semiconductor and Storage
201CMQ045PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
203CNQ100R
Vishay Semiconductor Diodes Division
203DMQ100
Vishay Semiconductor Diodes Division
203DMQ100PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
203DNQ100
Vishay Semiconductor Diodes Division
400DMQ045
Vishay Semiconductor Diodes Division
403DMQ100
Vishay Semiconductor Diodes Division
5962-1621001QXC
Microsemi Corporation
5962-1621001VXC
Microsemi Corporation
XA2S100E-6TQ144Q
Xilinx Inc.
XCS20XL-4TQ144C
Xilinx Inc.
XC3S1400A-5FGG676C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-1FGG484I
Microsemi Corporation
A40MX02-2PL68
Microsemi Corporation
10M16SCU169A7G
Intel
10AX027H4F35I3LG
Intel
A42MX09-1PQ100
Microsemi Corporation
10AX057K3F40I2SG
Intel
EP3SE80F780C2
Intel