casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Arreglos / CDBD10200-G
Número de pieza del fabricante | CDBD10200-G |
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Número de parte futuro | FT-CDBD10200-G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CDBD10200-G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Configuración de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 200V |
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) | 10A (DC) |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1V @ 10A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 500µA @ 200V |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | D2PAK |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CDBD10200-G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CDBD10200-G-FT |
MBR20200CTF-G1
Diodes Incorporated
MBR2045CT-E1
Diodes Incorporated
MBR20H100CTF-E1
Diodes Incorporated
MBR20H100CTF-G1
Diodes Incorporated
MBR30100CT-BP
Micro Commercial Co
MBR30100CTF-G1
Diodes Incorporated
MBR3045CTF-E1
Diodes Incorporated
MBR3045CTF-G1
Diodes Incorporated
MBR30H100CT-E1
Diodes Incorporated
MBR30H100CTF-G1
Diodes Incorporated
LCMXO2-1200ZE-2TG100IR1
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S500E-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC4044XL-3HQ304I
Xilinx Inc.
A42MX16-VQ100M
Microsemi Corporation
EP3C10F256C6
Intel
5SGXMA7H3F35C2LN
Intel
XC7VX415T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-3FFG784C
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-7LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTFD3H3F35I3N
Intel