casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / CBR1-L100M
Número de pieza del fabricante | CBR1-L100M |
---|---|
Número de parte futuro | FT-CBR1-L100M |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CBR1-L100M Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 1kV |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1.5A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1V @ 1A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 1000V |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-SIP |
Paquete del dispositivo del proveedor | B-M |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CBR1-L100M Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CBR1-L100M-FT |
SC3BH1
Semtech Corporation
SC3BH2
Semtech Corporation
SC3BH6
Semtech Corporation
SC3BJ6
Semtech Corporation
SC3BK2F
Semtech Corporation
SC3BK4F
Semtech Corporation
SC3BK6
Semtech Corporation
SCBH6
Semtech Corporation
DD104N18KHPSA1
Infineon Technologies
0546260000
Weidmüller
XC7A35T-2CSG325I
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
AGLN125V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEA7K1F40C2LN
Intel
5SGXMA9N1F45C2N
Intel
EP4SE530H35C3
Intel
XC5VLX30-3FF324C
Xilinx Inc.
M2GL090T-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000ZE-3FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F35I5N
Intel