casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / CB2016T1R0M
Número de pieza del fabricante | CB2016T1R0M |
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Número de parte futuro | FT-CB2016T1R0M |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CB |
CB2016T1R0M Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Inductancia | 1µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 1.1A |
Corriente - Saturación | 600mA |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 117 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | 100MHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 7.96MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 0806 (2016 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 0806 (2016 Metric) |
Tamaño / Dimensión | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.071" (1.80mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CB2016T1R0M Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CB2016T1R0M-FT |
LB2518T471MV
Taiyo Yuden
LB2518T4R7M
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XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
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Intel