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Número de pieza del fabricante | CB2012T1R0M |
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Número de parte futuro | FT-CB2012T1R0M |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CB |
CB2012T1R0M Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Inductancia | 1µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 900mA |
Corriente - Saturación | 500mA |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 195 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | 100MHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 7.96MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 0805 (2012 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 0805 (2012 Metric) |
Tamaño / Dimensión | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.057" (1.45mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CB2012T1R0M Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CB2012T1R0M-FT |
LB2016T470K
Taiyo Yuden
LB2016T470KV
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LB2016T470M
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LBC2016T101M
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LBC2016T150K
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A1415A-PQ100C
Microsemi Corporation
XC7A25T-2CSG325I
Xilinx Inc.
LAXP2-8E-5QN208E
Lattice Semiconductor Corporation
10M25DAF484C7G
Intel
5SGXMA4K1F35C2LN
Intel
EP4SGX530HH35C3NES
Intel
XC2VP20-6FF1152C
Xilinx Inc.
XC7K410T-2FFG900I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-CSG281
Microsemi Corporation
EP4CE40F29I7N
Intel