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Número de pieza del fabricante | CB2012T1R0MV |
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Número de parte futuro | FT-CB2012T1R0MV |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CB |
CB2012T1R0MV Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Inductancia | 1µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 700mA |
Corriente - Saturación | 500mA |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 195 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | 100MHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 7.96MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 0805 (2012 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 0805 (2012 Metric) |
Tamaño / Dimensión | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.057" (1.45mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CB2012T1R0MV Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CB2012T1R0MV-FT |
CBL2012T2R2M
Taiyo Yuden
CBL2012T470M
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CK21252R2M-T
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LK2125R12K-T
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CB2012T100KRV
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XCS20XL-4TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-3TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC1E-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX02-1PLG68M
Microsemi Corporation
A42MX16-2VQ100I
Microsemi Corporation
XC4020XL-2HT176C
Xilinx Inc.
10CL006YU256I7G
Intel
EP4CGX15BF14C7
Intel
M1AFS1500-2FGG676I
Microsemi Corporation
EP20K100EQC240-1
Intel