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Número de pieza del fabricante | CB2012T1R0MV |
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Número de parte futuro | FT-CB2012T1R0MV |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CB |
CB2012T1R0MV Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Inductancia | 1µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 700mA |
Corriente - Saturación | 500mA |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 195 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | 100MHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 7.96MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 0805 (2012 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 0805 (2012 Metric) |
Tamaño / Dimensión | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.057" (1.45mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CB2012T1R0MV Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CB2012T1R0MV-FT |
CBL2012T2R2M
Taiyo Yuden
CBL2012T470M
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CBL2012T4R7M
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CK21252R2M-T
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CKS21252R2M-T
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HK212522NJ-T
Taiyo Yuden
HK212527NJ-T
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HK21252N7S-T
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LK2125R12K-T
Taiyo Yuden
CB2012T100KRV
Taiyo Yuden
XCS05-3VQ100C
Xilinx Inc.
XC7S75-2FGGA676C
Xilinx Inc.
AGLN250V2-ZCSG81I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQ208
Microsemi Corporation
EP20K400EFC672-1
Intel
XC7K410T-L2FFG676I
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQ100
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1AJC
Microchip Technology
EP1S40F780C8N
Intel
EPF10K100ABI356-3N
Intel