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Número de pieza del fabricante | CB2012T100KR |
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Número de parte futuro | FT-CB2012T100KR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CB |
CB2012T100KR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Inductancia | 10µH |
Tolerancia | ±10% |
Valoración actual | 520mA |
Corriente - Saturación | 200mA |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 650 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | 32MHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 2.52MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 0805 (2012 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 0805 (2012 Metric) |
Tamaño / Dimensión | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.057" (1.45mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CB2012T100KR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CB2012T100KR-FT |
LB2016T680K
Taiyo Yuden
LB2016T680M
Taiyo Yuden
LB2016T6R8M
Taiyo Yuden
LBC2016T101K
Taiyo Yuden
LBC2016T101M
Taiyo Yuden
LBC2016T150K
Taiyo Yuden
LBC2016T150M
Taiyo Yuden
LBC2016T1R0M
Taiyo Yuden
LBC2016T1R0MV
Taiyo Yuden
LBC2016T1R5M
Taiyo Yuden
XC6SLX150-3FGG900I
Xilinx Inc.
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
M2GL025T-1FCSG325
Microsemi Corporation
EP3C16F484C7
Intel
5SGSMD4K2F40I3L
Intel
EP1M350F780I6N
Intel
LCMXO3LF-9400E-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F780C4N
Intel
EPF6016QC240-3N
Intel
5SGSMD3H1F35C1N
Intel