casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / CAV25M01YE-GT3
Número de pieza del fabricante | CAV25M01YE-GT3 |
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Número de parte futuro | FT-CAV25M01YE-GT3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
CAV25M01YE-GT3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 1Mb (128K x 8) |
Frecuencia de reloj | 10MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 5ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 2.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-TSSOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CAV25M01YE-GT3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CAV25M01YE-GT3-FT |
MR25H40CDCR
Everspin Technologies Inc.
MT25QL128ABA1EW7-MSIT
Micron Technology Inc.
MT25QL128ABA1EW7-MSIT TR
Micron Technology Inc.
N25Q032A11EF640E
Micron Technology Inc.
N25Q032A11EF640F TR
Micron Technology Inc.
N25Q032A13EF640E
Micron Technology Inc.
N25Q032A13EF640F TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13EF640E
Micron Technology Inc.
N25Q064A13EF640F TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13EF640FN02 TR
Micron Technology Inc.
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
XC4020XL-2HT144C
Xilinx Inc.
A54SX16A-FG256I
Microsemi Corporation
A3PN125-VQG100I
Microsemi Corporation
EP2C35F484I8
Intel
10M08SAU169A7G
Intel
5SGXEA5K1F35C2LN
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
AX1000-1FGG676I
Microsemi Corporation
EPF10K50SQC208-1N
Intel