casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / CAV25512YE-GT3
Número de pieza del fabricante | CAV25512YE-GT3 |
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Número de parte futuro | FT-CAV25512YE-GT3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
CAV25512YE-GT3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 512Kb (64K x 8) |
Frecuencia de reloj | 10MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 5ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 2.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-TSSOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CAV25512YE-GT3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CAV25512YE-GT3-FT |
CAT25010YI-G
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5AGXMA5D4F27I5N
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Xilinx Inc.
LFE5U-12F-8BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA2F23I7N
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10AX090R2F40E2SG
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EP4CGX110DF31C8
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