casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / CAV25010VE-GT3
Número de pieza del fabricante | CAV25010VE-GT3 |
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Número de parte futuro | FT-CAV25010VE-GT3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
CAV25010VE-GT3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 1Kb (128 x 8) |
Frecuencia de reloj | 10MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 5ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 2.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOIC |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CAV25010VE-GT3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CAV25010VE-GT3-FT |
R1LV0808ASB-5SI#S0
Renesas Electronics America
R1LV0808ASB-7SI#B0
Renesas Electronics America
R1LV0808ASB-7SI#S0
Renesas Electronics America
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Renesas Electronics America
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Renesas Electronics America
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Renesas Electronics America
R1RW0416DSB-2PI#D0
Renesas Electronics America
R1RW0416DSB-2PI#D1
Renesas Electronics America
RMLV0414EGSB-4S2#HA0
Renesas Electronics America
AT40K20AL-1BQU
Microchip Technology
A54SX16P-TQG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-640HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX36-BGG272I
Microsemi Corporation
A54SX32A-1TQ176
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMB5R1F40C1N
Intel
10CL010YE144C8G
Intel
XCS30XL-4BG256C
Xilinx Inc.
5CGXFC9A6U19C7N
Intel