casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / CAV25010VE-GT3
Número de pieza del fabricante | CAV25010VE-GT3 |
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Número de parte futuro | FT-CAV25010VE-GT3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
CAV25010VE-GT3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 1Kb (128 x 8) |
Frecuencia de reloj | 10MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 5ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 2.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOIC |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CAV25010VE-GT3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CAV25010VE-GT3-FT |
R1LV0808ASB-5SI#S0
Renesas Electronics America
R1LV0808ASB-7SI#B0
Renesas Electronics America
R1LV0808ASB-7SI#S0
Renesas Electronics America
R1LV0816ASB-5SI#B0
Renesas Electronics America
R1LV0816ASB-5SI#S0
Renesas Electronics America
R1LV0816ASB-7SI#B0
Renesas Electronics America
R1LV0816ASB-7SI#S0
Renesas Electronics America
R1RW0416DSB-2PI#D0
Renesas Electronics America
R1RW0416DSB-2PI#D1
Renesas Electronics America
RMLV0414EGSB-4S2#HA0
Renesas Electronics America
XC2S15-5TQ144C
Xilinx Inc.
A54SX08A-TQG144
Microsemi Corporation
AT40K20-2CQC
Microchip Technology
10M08SCE144C8G
Intel
10M04SFE144C8G
Intel
5CGXFC5F7M11C8N
Intel
A42MX09-2PQG160
Microsemi Corporation
5CGXFC3B6F23C6N
Intel
EPF10K50VRI240-4N
Intel
EP20K100EQC240-1X
Intel