casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / CAV24C64WE-GT3

| Número de pieza del fabricante | CAV24C64WE-GT3 |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-CAV24C64WE-GT3 |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | Automotive, AEC-Q100 |
| CAV24C64WE-GT3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de memoria | Non-Volatile |
| Formato de memoria | EEPROM |
| Tecnología | EEPROM |
| Tamaño de la memoria | 64Kb (8K x 8) |
| Frecuencia de reloj | 400kHz |
| Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 5ms |
| Tiempo de acceso | 900ns |
| interfaz de memoria | I²C |
| Suministro de voltaje | 2.5V ~ 5.5V |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOIC |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| CAV24C64WE-GT3 Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | CAV24C64WE-GT3-FT |

RMLV0414EGSB-4S2#AA0
Renesas Electronics America

M68AW256ML70ND6T
STMicroelectronics

M68AW512ML70ND6
STMicroelectronics

R1LV0216BSB-5SI#B0
Renesas Electronics America

R1LV0216BSB-5SI#S0
Renesas Electronics America

R1LV0216BSB-7SI#B0
Renesas Electronics America

R1LV0808ASB-5SI#B0
Renesas Electronics America

R1LV0808ASB-5SI#S0
Renesas Electronics America

R1LV0808ASB-7SI#B0
Renesas Electronics America

R1LV0808ASB-7SI#S0
Renesas Electronics America

XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.

XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.

M2GL090TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation

A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation

A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation

M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation

EP4CE10F17A7N
Intel

EPF10K30EFC256-3
Intel

LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation

EP20K100EFC324-1
Intel