casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / CAV24C256WE-GT3
Número de pieza del fabricante | CAV24C256WE-GT3 |
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Número de parte futuro | FT-CAV24C256WE-GT3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
CAV24C256WE-GT3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 256Kb (32K x 8) |
Frecuencia de reloj | 1MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 5ms |
Tiempo de acceso | 400ns |
interfaz de memoria | I²C |
Suministro de voltaje | 2.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOIC |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CAV24C256WE-GT3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CAV24C256WE-GT3-FT |
R1LV0808ASB-7SI#S0
Renesas Electronics America
R1LV0816ASB-5SI#B0
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R1LV0816ASB-5SI#S0
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R1LV0816ASB-7SI#B0
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R1LV0816ASB-7SI#S0
Renesas Electronics America
R1RW0416DSB-2PI#D0
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R1RW0416DSB-2PI#D1
Renesas Electronics America
RMLV0414EGSB-4S2#HA0
Renesas Electronics America
RMLV0416EGSB-4S2#AA0
Renesas Electronics America
RMLV0416EGSB-4S2#HA0
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XC2V250-6FG256C
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XC6SLX150T-2FGG676I
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A42MX16-2PQ208
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A42MX24-FPQG208
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EP1K10TI100-2
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XC7K355T-1FFG901I
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XC7K325T-3FFG900E
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4MN100C
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LCMXO2-2000UHE-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F40I2SGE2
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