casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / CAV24C02WE-GT3
Número de pieza del fabricante | CAV24C02WE-GT3 |
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Número de parte futuro | FT-CAV24C02WE-GT3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
CAV24C02WE-GT3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 2Kb (256 x 8) |
Frecuencia de reloj | 400kHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 5ms |
Tiempo de acceso | 900ns |
interfaz de memoria | I²C |
Suministro de voltaje | 2.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOIC |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CAV24C02WE-GT3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CAV24C02WE-GT3-FT |
IDT71V424YS15PH
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V424YS15PH8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V424YS15PHI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V424YS15PHI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
RMLV0414EGSB-4S2#AA1
Renesas Electronics America
RMLV0808BGSB-4S2#AA0
Renesas Electronics America
RMLV0416EGSB-4S2#AA1
Renesas Electronics America
R1LV0216BSB-5SI#B1
Renesas Electronics America
R1LV0216BSB-5SI#S1
Renesas Electronics America
RMLV0414EGSB-4S2#HA1
Renesas Electronics America
XC2S50-5TQG144C
Xilinx Inc.
XC7S75-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
XCS05-3VQ100I
Xilinx Inc.
XC4013XL-3PQ208I
Xilinx Inc.
A3P250-2FG256
Microsemi Corporation
10CL080ZF484I8G
Intel
5SGXMA4H3F35C2N
Intel
ICE40LP1K-CB81
Lattice Semiconductor Corporation
AT6005-4JC
Microchip Technology
5SGSMD3H2F35I3LN
Intel