casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / CAT24M01WI-GT3
Número de pieza del fabricante | CAT24M01WI-GT3 |
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Número de parte futuro | FT-CAT24M01WI-GT3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CAT24M01WI-GT3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 1Mb (128K x 8) |
Frecuencia de reloj | 1MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 5ms |
Tiempo de acceso | 400ns |
interfaz de memoria | I²C |
Suministro de voltaje | 1.8V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOIC |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CAT24M01WI-GT3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CAT24M01WI-GT3-FT |
IDT71V424YS12PHI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V424YS12PHI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V424YS15PH
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V424YS15PH8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V424YS15PHI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V424YS15PHI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
RMLV0414EGSB-4S2#AA1
Renesas Electronics America
RMLV0808BGSB-4S2#AA0
Renesas Electronics America
RMLV0416EGSB-4S2#AA1
Renesas Electronics America
R1LV0216BSB-5SI#B1
Renesas Electronics America
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
EP4S100G3F45I1
Intel
EP4SE820F43I4N
Intel
5SGXMA7K1F35C2LN
Intel
XC6VLX365T-L1FF1759I
Xilinx Inc.
XC2VP30-7FFG896C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FG144
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXBC4C7U19C8N
Intel
EP1S25F1020C5
Intel