casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / CAT24C512WI-GT3
Número de pieza del fabricante | CAT24C512WI-GT3 |
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Número de parte futuro | FT-CAT24C512WI-GT3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CAT24C512WI-GT3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 512Kb (64K x 8) |
Frecuencia de reloj | 1MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 5ms |
Tiempo de acceso | 400ns |
interfaz de memoria | I²C |
Suministro de voltaje | 1.8V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOIC |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CAT24C512WI-GT3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CAT24C512WI-GT3-FT |
IDT71V424YS12PH8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V424YS12PHI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V424YS12PHI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V424YS15PH
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V424YS15PH8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V424YS15PHI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V424YS15PHI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
RMLV0414EGSB-4S2#AA1
Renesas Electronics America
RMLV0808BGSB-4S2#AA0
Renesas Electronics America
RMLV0416EGSB-4S2#AA1
Renesas Electronics America
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel