casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / C4D02120A
Número de pieza del fabricante | C4D02120A |
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Número de parte futuro | FT-C4D02120A |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Z-Rec® |
C4D02120A Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Silicon Carbide Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 1200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 10A (DC) |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.8V @ 2A |
Velocidad | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 0ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 50µA @ 1200V |
Capacitancia a Vr, F | 167pF @ 0V, 1MHz |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-220-2 |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220-2 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
C4D02120A Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | C4D02120A-FT |
SB140-T
Diodes Incorporated
SB150-T
Diodes Incorporated
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A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
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Intel
10M16DAF256I7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel