casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / C3M0065090D
Número de pieza del fabricante | C3M0065090D |
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Número de parte futuro | FT-C3M0065090D |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | C3M™ |
C3M0065090D Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | SiCFET (Silicon Carbide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 900V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 36A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 15V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 78 mOhm @ 20A, 15V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 5mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 30.4nC @ 15V |
Vgs (Max) | +18V, -8V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 660pF @ 600V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 125W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247-3 |
Paquete / Caja | TO-247-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
C3M0065090D Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | C3M0065090D-FT |
ZXMP6A13GTA
Diodes Incorporated
ZVP2106GTA
Diodes Incorporated
ZVP4424GTA
Diodes Incorporated
ZVP4525GTA
Diodes Incorporated
ZVNL110GTA
Diodes Incorporated
ZXMN6A11GTA
Diodes Incorporated
ZVN2106GTA
Diodes Incorporated
ZVN4306GTA
Diodes Incorporated
ZXMN10A25GTA
Diodes Incorporated
ZXMN7A11GTA
Diodes Incorporated
XC6SLX100T-N3FG900C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP2A40F672C7
Intel
EP3SL200F1517C4
Intel
XC7A200T-2FB484I
Xilinx Inc.
XC6VCX195T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10LC84-4
Intel
EPF81188ARC240-2
Intel
EP1C12Q240C7
Intel