casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / C3M0065090D
Número de pieza del fabricante | C3M0065090D |
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Número de parte futuro | FT-C3M0065090D |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | C3M™ |
C3M0065090D Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | SiCFET (Silicon Carbide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 900V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 36A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 15V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 78 mOhm @ 20A, 15V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 5mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 30.4nC @ 15V |
Vgs (Max) | +18V, -8V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 660pF @ 600V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 125W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247-3 |
Paquete / Caja | TO-247-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
C3M0065090D Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | C3M0065090D-FT |
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