casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / C3D25170H
Número de pieza del fabricante | C3D25170H |
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Número de parte futuro | FT-C3D25170H |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Z-Rec® |
C3D25170H Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Silicon Carbide Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 1700V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 26.3A (DC) |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 2.5V @ 25A |
Velocidad | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 0ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100µA @ 1700V |
Capacitancia a Vr, F | 2079pF @ 0V, 1MHz |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-247-2 |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247-2 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
C3D25170H Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | C3D25170H-FT |
1N4936GL-T
Diodes Incorporated
1N4936L-T
Diodes Incorporated
1N4937GL-T
Diodes Incorporated
1N4937L
Diodes Incorporated
1N4937L-T
Diodes Incorporated
1N5391S-T
Diodes Incorporated
1N5392S-T
Diodes Incorporated
1N5393S-T
Diodes Incorporated
1N5395S-T
Diodes Incorporated
1N5397S-T
Diodes Incorporated
LCMXO1200E-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
MPF300TS-1FCG484I
Microsemi Corporation
EP1S20F672C6
Intel
EPF10K100ABI600-2
Intel
EP3C25F256A7N
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5SGXMA4K2F40C1N
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10CL016ZE144I8G
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5AGXMA3D4F27I3N
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A54SX08A-TQG100
Microsemi Corporation
5CGTFD9C5F23I7N
Intel