casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Zener - Single / BZX384C10-HE3-18
Número de pieza del fabricante | BZX384C10-HE3-18 |
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Número de parte futuro | FT-BZX384C10-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BZX384C10-HE3-18 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Voltaje - Zener (Nom) (Vz) | 10V |
Tolerancia | ±5% |
Potencia - max | 200mW |
Impedancia (Max) (Zzt) | 20 Ohms |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 200nA @ 7V |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SC-76, SOD-323 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOD-323 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZX384C10-HE3-18 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BZX384C10-HE3-18-FT |
BZX384B3V3-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384B3V3-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384B3V6-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384B3V6-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384B3V6-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384B3V9-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384B3V9-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384B3V9-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384B3V9-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384B3V9-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P1000-2PQG208
Microsemi Corporation
M2GL025-VF400
Microsemi Corporation
EP4CGX30BF14C8N
Intel
XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
M1AGL600V2-CS281
Microsemi Corporation
A42MX09-3PQG160
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-5F672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-9400E-6MG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VRC240-1N
Intel