casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Zener - Single / BZT52C9V1-HE3-18
Número de pieza del fabricante | BZT52C9V1-HE3-18 |
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Número de parte futuro | FT-BZT52C9V1-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BZT52C9V1-HE3-18 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Voltaje - Zener (Nom) (Vz) | 9.1V |
Tolerancia | ±5% |
Potencia - max | 410mW |
Impedancia (Max) (Zzt) | 4.8 Ohms |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100nA @ 7V |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOD-123 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOD-123 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZT52C9V1-HE3-18 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BZT52C9V1-HE3-18-FT |
BZT52C3V0-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C3V0-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C3V0-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C3V0-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C3V0-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C3V3-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C3V3-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C3V3-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C3V6-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C3V6-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
U1AFS1500-FG256I
Microsemi Corporation
LAE3-17EA-6FTN256E
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7M15C8N
Intel
XA6SLX16-2CSG225Q
Xilinx Inc.
XC5VLX50-2FF676I
Xilinx Inc.
A42MX16-PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-50SE-5F672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXBC9C7F23C8N
Intel