casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Zener - Single / BZT52C8V2-HE3-18
Número de pieza del fabricante | BZT52C8V2-HE3-18 |
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Número de parte futuro | FT-BZT52C8V2-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BZT52C8V2-HE3-18 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Voltaje - Zener (Nom) (Vz) | 8.2V |
Tolerancia | ±5% |
Potencia - max | 410mW |
Impedancia (Max) (Zzt) | 4.5 Ohms |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100nA @ 6V |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOD-123 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOD-123 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZT52C8V2-HE3-18 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BZT52C8V2-HE3-18-FT |
BZT52C39-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C39-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C39-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C39-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C39-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C3V0-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C3V0-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C3V0-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C3V0-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C3V0-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX04-2VQG80
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000ZE-2TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3SD3400A-4CSG484I
Xilinx Inc.
M7A3P1000-2FG484I
Microsemi Corporation
M2GL010TS-VFG256
Microsemi Corporation
A3PN030-Z2VQ100
Microsemi Corporation
10M16DAF256I7G
Intel
5SGXMA7N3F45C3
Intel
LFE2M20SE-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX90FF1508C3
Intel