casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Zener - Single / BZT52C8V2-G3-08
Número de pieza del fabricante | BZT52C8V2-G3-08 |
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Número de parte futuro | FT-BZT52C8V2-G3-08 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BZT52C8V2-G3-08 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Voltaje - Zener (Nom) (Vz) | 8.2V |
Tolerancia | ±5% |
Potencia - max | 410mW |
Impedancia (Max) (Zzt) | 4.5 Ohms |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100nA @ 6V |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOD-123 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOD-123 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZT52C8V2-G3-08 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BZT52C8V2-G3-08-FT |
BZT52C36-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C36-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C36-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C39-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C39-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C39-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C39-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C39-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C3V0-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C3V0-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO1200E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-FTQ144
Microsemi Corporation
XC2S100E-6PQ208C
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200HC-5SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16P-1VQG100M
Microsemi Corporation
10CL025YU256C6G
Intel
5SGXEA9N2F45C2LN
Intel
XC4013E-4HQ208I
Xilinx Inc.
A42MX16-PQ160M
Microsemi Corporation
LFXP2-17E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation