casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Zener - Single / BZT52C7V5-HE3-18
Número de pieza del fabricante | BZT52C7V5-HE3-18 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-BZT52C7V5-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BZT52C7V5-HE3-18 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Voltaje - Zener (Nom) (Vz) | 7.5V |
Tolerancia | ±5% |
Potencia - max | 410mW |
Impedancia (Max) (Zzt) | 4 Ohms |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100nA @ 5V |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOD-123 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOD-123 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZT52C7V5-HE3-18 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BZT52C7V5-HE3-18-FT |
BZT52C36-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C36-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C36-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C36-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C36-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C39-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C39-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C39-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C39-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C39-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
EX128-TQG64I
Microsemi Corporation
A1020B-PQ100I
Microsemi Corporation
XCKU5P-1FFVA676E
Xilinx Inc.
M1AFS1500-1FGG484I
Microsemi Corporation
5SGXMB5R2F40C2LN
Intel
5CGXFC4F6M11C7N
Intel
5SEEBF45C4N
Intel
XC7VX485T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
LFEC1E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256C-4MN100I
Lattice Semiconductor Corporation