casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Zener - Single / BZT52C30-G3-08
Número de pieza del fabricante | BZT52C30-G3-08 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-BZT52C30-G3-08 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BZT52C30-G3-08 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Voltaje - Zener (Nom) (Vz) | 30V |
Tolerancia | ±5% |
Potencia - max | 410mW |
Impedancia (Max) (Zzt) | 35 Ohms |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100nA @ 22.5V |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOD-123 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOD-123 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZT52C30-G3-08 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BZT52C30-G3-08-FT |
BZT52B68-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B68-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B68-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B68-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B68-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B6V2-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B6V2-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B6V2-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B6V2-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B6V2-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO1200C-3TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX100T-2CSG484I
Xilinx Inc.
XC4052XL-2HQ304C
Xilinx Inc.
XC7A50T-L1FGG484I
Xilinx Inc.
A42MX09-1VQ100I
Microsemi Corporation
10M08DAU324I7G
Intel
EP4SE230F29C3N
Intel
10AX016E3F29E1HG
Intel
EP20K300EQC240-2X
Intel
EP20K60EQC240-2X
Intel