casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Zener - Single / BZT52B6V8-HE3-08
Número de pieza del fabricante | BZT52B6V8-HE3-08 |
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Número de parte futuro | FT-BZT52B6V8-HE3-08 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BZT52B6V8-HE3-08 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Voltaje - Zener (Nom) (Vz) | 6.8V |
Tolerancia | ±2% |
Potencia - max | 410mW |
Impedancia (Max) (Zzt) | 4.5 Ohms |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100nA @ 3V |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOD-123 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOD-123 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZT52B6V8-HE3-08 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BZT52B6V8-HE3-08-FT |
BZT52B33-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B33-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B33-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B33-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B33-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B36-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B36-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B36-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B36-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B36-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO1200E-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1400A-4FGG484C
Xilinx Inc.
A3P1000-1FG256M
Microsemi Corporation
5SGXEA7K1F35C1N
Intel
XC7VX485T-2FFG1761C
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-2FF1156I
Xilinx Inc.
XC7S25-L1CSGA324I
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4MN100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-6BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation