casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Zener - Single / BZT52B3V6-G RHG
Número de pieza del fabricante | BZT52B3V6-G RHG |
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Número de parte futuro | FT-BZT52B3V6-G RHG |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BZT52B3V6-G RHG Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Voltaje - Zener (Nom) (Vz) | 3.6V |
Tolerancia | ±2% |
Potencia - max | 410mW |
Impedancia (Max) (Zzt) | 90 Ohms |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 1V |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 900mV @ 10mA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOD-123 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOD-123 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZT52B3V6-G RHG Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BZT52B3V6-G RHG-FT |
BZT52C6V8S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT52C39S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT52C3V0S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT52C51S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT52C5V1S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
UDZS15B RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT52B9V1S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT52B10S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT52B11S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT52B12S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
XA3S50-4PQG208Q
Xilinx Inc.
AGLN030V2-ZVQG100I
Microsemi Corporation
LFE2M35E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-4FTN324I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-3BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N3F40I2SG
Intel
EP2S130F1508C5N
Intel
EP4SGX70DF29C4N
Intel
EP1S25F780C7N
Intel
EP20K60EQC208-1X
Intel