casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Zener - Single / BZT52B2V4-G3-18
Número de pieza del fabricante | BZT52B2V4-G3-18 |
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Número de parte futuro | FT-BZT52B2V4-G3-18 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BZT52B2V4-G3-18 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Voltaje - Zener (Nom) (Vz) | 2.4V |
Tolerancia | ±2% |
Potencia - max | 410mW |
Impedancia (Max) (Zzt) | 85 Ohms |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | - |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOD-123 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOD-123 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZT52B2V4-G3-18 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BZT52B2V4-G3-18-FT |
MMSZ4690-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5230B-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B3V3-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B4V3-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B4V7-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C11-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C13-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C22-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C30-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C33-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO1200E-3TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX08A-2TQ144
Microsemi Corporation
XC4013E-2BG225C
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-SWG16ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K50FC484-3
Intel
5AGXMA7D4F27C4N
Intel
5SGSED8N1F45C2N
Intel
EP4S40G5H40I3N
Intel
XC5VSX35T-1FFG665C
Xilinx Inc.