casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Zener - Single / BZT52B18-G RHG
Número de pieza del fabricante | BZT52B18-G RHG |
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Número de parte futuro | FT-BZT52B18-G RHG |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BZT52B18-G RHG Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Voltaje - Zener (Nom) (Vz) | 18V |
Tolerancia | ±2% |
Potencia - max | 410mW |
Impedancia (Max) (Zzt) | 45 Ohms |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100nA @ 12.6V |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 900mV @ 10mA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOD-123 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOD-123 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZT52B18-G RHG Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BZT52B18-G RHG-FT |
BZT52B13S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT52B15S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT52B16S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT52B18S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT52B20S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT52B22S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT52B24S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT52B27S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT52B2V4S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT52B2V7S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
XA3S50-4PQG208Q
Xilinx Inc.
AGLN030V2-ZVQG100I
Microsemi Corporation
LFE2M35E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-4FTN324I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-3BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N3F40I2SG
Intel
EP2S130F1508C5N
Intel
EP4SGX70DF29C4N
Intel
EP1S25F780C7N
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EP20K60EQC208-1X
Intel