casa / productos / Protección del circuito / TVS - Diodos / BZT03D100-TAP
Número de pieza del fabricante | BZT03D100-TAP |
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Número de parte futuro | FT-BZT03D100-TAP |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BZT03D100-TAP Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Zener |
Canales unidireccionales | 1 |
Canales Bidireccionales | - |
Voltaje - Separación inversa (tipo) | 79V |
Voltaje - Avería (Min) | 90V |
Voltaje - Sujeción (Máx.) @ Ipp | 143V |
Corriente - Pulso pico (10 / 1000µs) | 2.2A |
Potencia - Pulso pico | 600W |
Protección de línea eléctrica | No |
Aplicaciones | General Purpose |
Capacitancia a frecuencia | - |
Temperatura de funcionamiento | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | SOD-57, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOD-57 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZT03D100-TAP Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BZT03D100-TAP-FT |
VESD03-02V-G-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD01-02V-G-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD08-02V-G-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD05-02V-G-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD05A1-02V-G-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD05A1-02V-G-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD05A1B-02V-G-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD12-02V-G-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD01-02V-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD03-02V-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LAXP2-8E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S50AN-4FT256C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-4300E-5UWG81ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F484C4N
Intel
EP4CE22F17C9L
Intel
5SEEBF45I3L
Intel
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
M1A3P1000-1FGG144M
Microsemi Corporation
EPF10K10AQC208-3N
Intel