casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Zener - Single / BZD27C7V5P-E3-18
Número de pieza del fabricante | BZD27C7V5P-E3-18 |
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Número de parte futuro | FT-BZD27C7V5P-E3-18 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, BZD27C |
BZD27C7V5P-E3-18 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Voltaje - Zener (Nom) (Vz) | 7.5V |
Tolerancia | - |
Potencia - max | 800mW |
Impedancia (Max) (Zzt) | 2 Ohms |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 50µA @ 3V |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.2V @ 200mA |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 175°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-219AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-219AB (SMF) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27C7V5P-E3-18 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BZD27C7V5P-E3-18-FT |
BZD27C24P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C27P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C27P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C27P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C27P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C30P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C30P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C30P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C30P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C30P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S1600E-4FG484I
Xilinx Inc.
APA1000-PQ208M
Microsemi Corporation
5SGXMA3K2F35I3LN
Intel
XC5VLX30-2FF324C
Xilinx Inc.
A42MX24-3PL84I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PQG100
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HC-5BG332I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE80F780C2
Intel
EP4CE55F29C6
Intel
5SGXMA3H2F35C2N
Intel