casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Zener - Single / BZD27C75P-M-18
Número de pieza del fabricante | BZD27C75P-M-18 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-BZD27C75P-M-18 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, BZD27C |
BZD27C75P-M-18 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Voltaje - Zener (Nom) (Vz) | 75V |
Tolerancia | - |
Potencia - max | 800mW |
Impedancia (Max) (Zzt) | 100 Ohms |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 1µA @ 56V |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.2V @ 200mA |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 175°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-219AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-219AB (SMF) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27C75P-M-18 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BZD27C75P-M-18-FT |
BZD27C6V2P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C6V2P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C6V2P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C6V8P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C6V8P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C6V8P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C6V8P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C6V8P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C75P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C75P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2VP20-6FG676I
Xilinx Inc.
XCS10XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
EP1SGX10DF672I6
Intel
EPF10K100AFC484-1
Intel
5SGXEA7N2F40C3
Intel
5SGXEBBR2H43C2L
Intel
XC2V1000-4FFG896I
Xilinx Inc.
A42MX24-3PQ160I
Microsemi Corporation
LFE2M35E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-50E-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation