casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Zener - Single / BZD27C6V2P-M-18
Número de pieza del fabricante | BZD27C6V2P-M-18 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-BZD27C6V2P-M-18 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, BZD27C |
BZD27C6V2P-M-18 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Voltaje - Zener (Nom) (Vz) | 6.2V |
Tolerancia | - |
Potencia - max | 800mW |
Impedancia (Max) (Zzt) | 3 Ohms |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 2V |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.2V @ 200mA |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 175°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-219AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-219AB (SMF) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27C6V2P-M-18 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BZD27C6V2P-M-18-FT |
BZD27C6V2P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C6V2P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C6V2P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C6V2P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C6V2P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C6V8P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C6V8P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C6V8P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C6V8P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C6V8P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-256ZE-1TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HC-5TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4036XL-3HQ304I
Xilinx Inc.
XC7S100-L1FGGA484I
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484I
Microsemi Corporation
M2GL025-1VFG400
Microsemi Corporation
XA6SLX16-3CSG225Q
Xilinx Inc.
AGLP125V2-CSG289I
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD4H1F35I2N
Intel