casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Zener - Single / BZD27C4V3P-HE3-08
Número de pieza del fabricante | BZD27C4V3P-HE3-08 |
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Número de parte futuro | FT-BZD27C4V3P-HE3-08 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, BZD27C |
BZD27C4V3P-HE3-08 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Voltaje - Zener (Nom) (Vz) | 4.3V |
Tolerancia | - |
Potencia - max | 800mW |
Impedancia (Max) (Zzt) | 7 Ohms |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 25µA @ 1V |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.2V @ 200mA |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 175°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-219AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-219AB (SMF) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27C4V3P-HE3-08 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BZD27C4V3P-HE3-08-FT |
BZD27C130P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C130P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C130P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C130P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C13P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C13P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C13P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C13P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C13P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C150P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AGLN125V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGSMD3E3H29C4N
Intel
LFXP15C-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-8LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP4K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H2F34I2LG
Intel
EP2C70F896C7N
Intel
EP2S130F1508C5N
Intel
EP4SGX230DF29I3N
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel