casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Zener - Single / BZD27C3V9P-M-08
Número de pieza del fabricante | BZD27C3V9P-M-08 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-BZD27C3V9P-M-08 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, BZD27C |
BZD27C3V9P-M-08 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Voltaje - Zener (Nom) (Vz) | 3.9V |
Tolerancia | - |
Potencia - max | 800mW |
Impedancia (Max) (Zzt) | 8 Ohms |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 50µA @ 1V |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.2V @ 200mA |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 175°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-219AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-219AB (SMF) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27C3V9P-M-08 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BZD27C3V9P-M-08-FT |
BZD27C68P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C68P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C68P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C6V2P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C6V2P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C6V2P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C6V2P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C6V2P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C6V8P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C6V8P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX75-N3FG676C
Xilinx Inc.
XC2S150-6PQG208C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FGG256I
Microsemi Corporation
A3PE600-2PQG208I
Microsemi Corporation
A1415A-1VQ100C
Microsemi Corporation
5SGXEBBR2H43C2LN
Intel
EP3SE80F1152C4
Intel
M1AFS1500-2FGG676I
Microsemi Corporation
AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation