casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Zener - Single / BZD27C180P RQG
Número de pieza del fabricante | BZD27C180P RQG |
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Número de parte futuro | FT-BZD27C180P RQG |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BZD27C180P RQG Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Voltaje - Zener (Nom) (Vz) | 179.5V |
Tolerancia | ±6.4% |
Potencia - max | 1W |
Impedancia (Max) (Zzt) | 450 Ohms |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 1µA @ 130V |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.2V @ 200mA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-219AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | Sub SMA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27C180P RQG Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BZD27C180P RQG-FT |
BZT52B5V6-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT52B6V2-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT52B6V8-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT52B7V5-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT52B8V2-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT52B9V1-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT52C10-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT52C11-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT52C12-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT52C13-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P125-2TQG144I
Microsemi Corporation
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
AX250-FG256I
Microsemi Corporation
EP4CGX15BF14C6N
Intel
LFE3-95E-6FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R4F40E3SG
Intel
10AX066N4F40I3SGES
Intel
EP2AGX45DF29I5
Intel