casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Zener - Single / BZD27C11P-M-08
Número de pieza del fabricante | BZD27C11P-M-08 |
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Número de parte futuro | FT-BZD27C11P-M-08 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, BZD27C |
BZD27C11P-M-08 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Voltaje - Zener (Nom) (Vz) | 11V |
Tolerancia | - |
Potencia - max | 800mW |
Impedancia (Max) (Zzt) | 7 Ohms |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 4µA @ 8.2V |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.2V @ 200mA |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 175°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-219AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-219AB (SMF) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27C11P-M-08 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BZD27C11P-M-08-FT |
BZD27C3V9P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C3V9P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C3V9P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C3V9P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C3V9P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C3V9P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C43P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C43P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C43P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C43P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-640HC-4SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6N
Intel
10M40DCF484C7G
Intel
10M50DCF484I6G
Intel
EPF10K50SFC484-1
Intel
10M40SCE144I7G
Intel
5SGSED8N2F45I2L
Intel
5SGXEA7H3F35I4N
Intel
LFE2-6E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF35C4N
Intel