casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Zener - Single / BZD27C11P-E3-18
Número de pieza del fabricante | BZD27C11P-E3-18 |
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Número de parte futuro | FT-BZD27C11P-E3-18 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, BZD27C |
BZD27C11P-E3-18 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Voltaje - Zener (Nom) (Vz) | 11V |
Tolerancia | - |
Potencia - max | 800mW |
Impedancia (Max) (Zzt) | 7 Ohms |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 4µA @ 8.2V |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.2V @ 200mA |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 175°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-219AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-219AB (SMF) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27C11P-E3-18 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BZD27C11P-E3-18-FT |
BZD27B4V7P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B4V7P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B4V7P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B4V7P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B4V7P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B51P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B51P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B51P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B51P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B51P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
EPF6024ATC144-2
Intel
LCMXO2280E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX25-2FTG256C
Xilinx Inc.
M1A3PE1500-PQ208
Microsemi Corporation
XC5VLX110-2FFG1153C
Xilinx Inc.
XC7A12T-1CPG236C
Xilinx Inc.
EP2AGX95EF35C5ES
Intel
10CX085YF672I5G
Intel
EPF10K30EQC208-1X
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel