casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Zener - Single / BZD27C10P RQG
Número de pieza del fabricante | BZD27C10P RQG |
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Número de parte futuro | FT-BZD27C10P RQG |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BZD27C10P RQG Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Voltaje - Zener (Nom) (Vz) | 10V |
Tolerancia | ±6% |
Potencia - max | 1W |
Impedancia (Max) (Zzt) | 4 Ohms |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 7µA @ 7.5V |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.2V @ 200mA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-219AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | Sub SMA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27C10P RQG Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BZD27C10P RQG-FT |
BZD27C24PHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C27P R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C27P RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C27PHMTG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C27PHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C27PHRUG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C30P R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C30P RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C30PHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C30PHRUG
Taiwan Semiconductor Corporation
XA3S50-4PQG208Q
Xilinx Inc.
AGLN030V2-ZVQG100I
Microsemi Corporation
LFE2M35E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-4FTN324I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-3BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N3F40I2SG
Intel
EP2S130F1508C5N
Intel
EP4SGX70DF29C4N
Intel
EP1S25F780C7N
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Intel