casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Zener - Single / BZD27C10P-M3-08
Número de pieza del fabricante | BZD27C10P-M3-08 |
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Número de parte futuro | FT-BZD27C10P-M3-08 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, BZD27C-M |
BZD27C10P-M3-08 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Voltaje - Zener (Nom) (Vz) | 10V |
Tolerancia | - |
Potencia - max | 800mW |
Impedancia (Max) (Zzt) | 4 Ohms |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 7µA @ 7.5V |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.2V @ 200mA |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 175°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-219AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-219AB (SMF) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27C10P-M3-08 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BZD27C10P-M3-08-FT |
BZD27B4V3P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B4V3P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B4V3P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B4V3P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B4V3P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B4V7P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B4V7P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B4V7P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B4V7P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B4V7P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFEC1E-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S400A-4FG400I
Xilinx Inc.
XC2S50-5FG256C
Xilinx Inc.
XC2V1500-5FGG676C
Xilinx Inc.
EP3CLS70U484C7
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EP4SGX180KF40C4N
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LFE2-20E-5FN484C
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5AGXBA5D4F35I5N
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