casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Zener - Single / BZD27C10P-M-18
Número de pieza del fabricante | BZD27C10P-M-18 |
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Número de parte futuro | FT-BZD27C10P-M-18 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, BZD27C |
BZD27C10P-M-18 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Voltaje - Zener (Nom) (Vz) | 10V |
Tolerancia | - |
Potencia - max | 800mW |
Impedancia (Max) (Zzt) | 4 Ohms |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 7µA @ 7.5V |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.2V @ 200mA |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 175°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-219AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-219AB (SMF) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27C10P-M-18 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BZD27C10P-M-18-FT |
BZD27C3V6P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C3V6P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C3V9P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C3V9P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C3V9P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C3V9P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C3V9P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C3V9P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C43P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C43P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
ICE40HX1K-TQ144
Lattice Semiconductor Corporation
AX500-1FGG484M
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-8BG381I
Lattice Semiconductor Corporation
A1010B-1PLG68I
Microsemi Corporation
EPF10K50EFC256-2N
Intel
10CX105YF672E6G
Intel
XC7A200T-2SBG484I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N2F40E2LG
Intel
EP1S30F780C7N
Intel