casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Zener - Single / BZD27C10P-HE3-18
Número de pieza del fabricante | BZD27C10P-HE3-18 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-BZD27C10P-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, BZD27C |
BZD27C10P-HE3-18 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Voltaje - Zener (Nom) (Vz) | 10V |
Tolerancia | - |
Potencia - max | 800mW |
Impedancia (Max) (Zzt) | 4 Ohms |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 7µA @ 7.5V |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.2V @ 200mA |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 175°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-219AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-219AB (SMF) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27C10P-HE3-18 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BZD27C10P-HE3-18-FT |
BZD27B4V3P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B4V3P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B4V3P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B4V3P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B4V3P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B4V3P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B4V7P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B4V7P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B4V7P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B4V7P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFEC3E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-2TQG176
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
EP3C16F256C6
Intel
LFXP15C-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-6MG132IR1
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F780I4N
Intel
EP3SL50F780I3N
Intel