casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Zener - Single / BZD27B82P-HE3-18
Número de pieza del fabricante | BZD27B82P-HE3-18 |
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Número de parte futuro | FT-BZD27B82P-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, BZD27B |
BZD27B82P-HE3-18 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Voltaje - Zener (Nom) (Vz) | 82V |
Tolerancia | - |
Potencia - max | 800mW |
Impedancia (Max) (Zzt) | 100 Ohms |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 1µA @ 62V |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.2V @ 200mA |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 175°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-219AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-219AB (SMF) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27B82P-HE3-18 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BZD27B82P-HE3-18-FT |
BZD27B39P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B39P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B39P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B39P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B39P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B3V6P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B3V6P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B3V6P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B3V6P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B3V6P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCKU060-3FFVA1517E
Xilinx Inc.
XC6SLX45-3FGG484I
Xilinx Inc.
A3P400-2FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-FCVG484E
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000ZE-3QN84C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD5K2F40C2LN
Intel
5SGXMB9R3H43C3N
Intel
A40MX02-1PQG100
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX95EF29I3N
Intel