casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Zener - Single / BZD27B33P-HE3-18
Número de pieza del fabricante | BZD27B33P-HE3-18 |
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Número de parte futuro | FT-BZD27B33P-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, BZD27B |
BZD27B33P-HE3-18 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Voltaje - Zener (Nom) (Vz) | 33V |
Tolerancia | - |
Potencia - max | 800mW |
Impedancia (Max) (Zzt) | 15 Ohms |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 1µA @ 24V |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.2V @ 200mA |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 175°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-219AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-219AB (SMF) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27B33P-HE3-18 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BZD27B33P-HE3-18-FT |
BZD27B11P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B11P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B11P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B11P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B11P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B120P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B120P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B120P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B120P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B120P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XA3S500E-4CPG132Q
Xilinx Inc.
LFE3-17EA-8LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K20LV-3CQI
Microchip Technology
EP4SE820H40I3N
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
XC6SLX4-2CSG225C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-CSG281
Microsemi Corporation
LFEC3E-3FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M02SCM153C8G
Intel
EPF10K50VBI356-4
Intel